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SUD50N10-18P-GE3
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
3.5
3.0
2.5
160
140
120
100
2.0
8 0
1.5
60
1.0
0.5
0.0
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power Derating**, Junction-to-Ambient
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating**, Junction-to-Case
** The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 65717
S12-1958-Rev. C, 13-Aug-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
6
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